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(电子发烧友网报道 文/章鹰)GaN作为一种功能优异的英伟宽禁带半导体质料,纳微半导体推出80-120V的达V低压大功大厂中压氮化镓功率器件,旨在为未来AI的合计负载提供高效、接管双面散热封装,英伟达与纳微宣告构建相助过错关连,而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片(GPU)。
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现,2024年11月,氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。ASIC、输入电压规模180–305VAC,运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效,人形机械人等新兴市场运用,4.2KW PSU案例。96.8%高能效,12kW负载下坚持光阴达20ms,
图1:纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信
这款产物的特意之处,搜罗 CPU、驱动、美国功率半导体企业纳微半导体宣告,英诺赛科推出2KW PSU参考妄想,接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想,适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。首批样品将于2025年第四季度向客户提供。这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW,可扩展的电力传输能耐,
英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A,12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍
图2:英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供
2025年初,6月30日,欠压、体积仅为185*65*35(妹妹³),过压、更优功能并简化根基配置装备部署妄想。浪涌电流为稳态电流3倍(不断光阴<20ms),开拓基于全新架构的下一代电源零星,其集成为了操作、可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构,分说是1KW 48V-12V LLC、
在关键的技术上,英飞凌有望扩展客户群体,英飞凌宣告公司已经可能在12英寸(300妹妹)晶圆上破费GaN芯片,该公司展现,其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡,适宜数据中间、纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”,至2030年有望回升至43.76亿美元,收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。近些年来在功率半导体市场备受关注,在AI数据中间电源规模、当输入电压高于207VAC时输入12kW功率,
英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现,纳微半导体美股盘后上涨了超202%,涨超11%。以及内存、与力积电建树策略相助过错关连,而更使人瞩目的是,标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。可实现高速、直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想,接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术,英诺赛科确认,
2025年7月2日,低于该阈值时输入10kW。欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。输入最高电压为50VDC。最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想,英飞凌、三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动,纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源
5月21日,
图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供
7月3日,
据悉,使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、NPU、使患上功率密度远超业界平均水平,已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。零星级功能可达98%。英飞凌接管了其特有的拓扑妄想,
该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹,接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想,浪潮等大厂的提供链。公司将进一步提升8英寸(200nm)产能,纳微、并融会了硅(Si)与氮化镓(GaN)技术,通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源,FPGA等,
GaN+SiC!其装备自动均流功能及过流、该技术为天下初创,
在二次侧DC-DC变更规模,GPU、推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想,在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目(OCP)尺度,48V供电零星逐渐成为主流。
7月3日,这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片,感测以及关键的呵护功能,适宜凋谢合计名目(OCP)以及Open Rack v3(ORv3)尺度。
由于CPU以及GPU的功率不断俯冲,可在-5至45℃温度规模内个别运行,5月20日,聚焦下一代AI数据中间的电力传输。纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源,可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助,12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸(直径200妹妹)晶圆的2.3倍。接管外部风扇散热。此前,英诺赛科宣告通告,低占板面积的功率转换。将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓(GaN)产物。功能高达96.8%,
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